发光不衰减的多孔硅
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摘要: 用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅．如此制备的多孔硅新鲜样品，其发光峰位强度比普通多孔硅高２—２５倍．将样品在室温下暴露于空气中，其发光强度在前４个月中单调增加，然后达到饱和．在随后的８个月中，没有观察到发光衰减，发光峰位也没有发生变化．这种发光稳定性被归因于多孔硅表面所形成的稳定的Ｆｅ－Ｓｉ键．文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理，并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强有力的证据．
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期刊类型引用(1)
1. 周治平，许鹏飞，董晓文. 硅基光电计算. 中国激光. 2020(06): 9-23 . 
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