| Citation: |
HU Kai-Ge, FENG Ji. Valleytronics in two-dimensional semiconductors[J]. PHYSICS, 2016, 45(8): 494-504. DOI: 10.7693/wl20160802
|
| [1] |
Xiao D，YaoW，Niu Q. Phys. Rev. Lett.，2007，99：236809
|
| [2] |
YaoW，Xiao D，Niu Q. Phys. Rev. B，2008，77：235406
|
| [3] |
Cao T，Wang G，HanWet al. Nat. Commun.，2012，3：887
|
| [4] |
Xiao D，Liu G B，Feng W et al. Phys. Rev. Lett.，2012，108：196802
|
| [5] |
Mak K F，He K，Shan J et al. Nat. Nanotech.，2012，7：494
|
| [6] |
Zeng H，Dai J，YaoWet al. Nat. Nanotech.，2012，7：490
|
| [7] |
Li X，Cao T，Niu Q et al. Proc. Natl. Acad. Sci. USA，2013，110：3738
|
| [8] |
Wu S，Ross J S，Liu G et al. Nat. Phys.，2013，9：140
|
| [9] |
Akhmerov A R，Beenakker C W J. Phys. Rev. Lett.，2007，98：157003
|
| [10] |
Mak K F，McGill K L，Park J et al. Science，2014，334：1489
|
| [11] |
Li Y，Ludwig J，Low T et al. Phys. Rev. Lett.，2014，113：266804
|
| [12] |
MacNeil D，Heikes C，Mak K F et al. Phys. Rev. Lett.，2015，114：037401
|
| [13] |
Aivazian G，Gong Z，Jones AM et al. Nat. Phys.，2015，11：148
|
| [14] |
Srivastava A，Sidler M，Allain A V et al. Nat. Phys.，2015，11：141
|
| [15] |
Qi J S，Li X，Niu Q et al. Phys. Rev. B，2015，92：121403
|
| [16] |
Castro Neto A H，Guinea F，Peres N M R et al. Rev. Mod. Phys.，2009，81：109
|
| [17] |
Goerbig M O. Rev. Mod. Phys.，2011，83：1193
|
| [18] |
McCann E，Koshino M. Rep. Prog. Phys.，2013，76：056503
|
| [19] |
Beenakker CWJ. Rev. Mod. Phys.，2008，80：1337
|
| [20] |
Xiao D，Chang M C，Niu Q. Rev. Mod. Phys.，2010，82：1959
|
| [21] |
Karplus R，Luttinger J M. Phys. Rev.，1954，95：1154
|
| [22] |
KohnW，Luttinger J M. Phys. Rev.，1957，108：590
|
| [23] |
Chang M C，Niu Q. Phys. Rev. B，1996，53：7010
|
| [24] |
Behnia K. Nat. Nanotechnol.，2012，7：488
|
| [25] |
Ressouche E，Loire M，Simonet V et al. Phys. Rev. B，2010，82：100408
|
| [26] |
Novoselov K S，Jiang D，Schedin F et al. Proc. Natl. Acad. Sci.USA，2005，102：10451
|
| [27] |
Lee C，Yan H，Brus L E et al. ACS Nano，2010，4：2695
|
| [28] |
Lee C，Li Q，KalbWet al. Science，2010，328：5974
|
| [29] |
Lembke D，Kis A. ACS Nano，2012，6：10070
|
| [30] |
Wang Q H，Kalantar-Zadeh K，Kis A et al. Nat. Nanotechol.，2012，7：699
|
| [31] |
Mak K F，He K，Lee C et al. Nat. Mater.，2013，12：5
|
| [32] |
Radisavljevic B，Kis A. Nat. Mater.，2013，12：815
|
| [33] |
Ross J S，Wu S，Yu H et al. Nat. Commun.，2013，4：1474
|
| [34] |
Shi H，Yan R，Bertolazzi S et al. ACS Nano，2013，7：1072
|
| [35] |
ZhangW，Chuu C P，Huang J K et al. Sci. Rep.，2014，4：3826
|
| [36] |
ZhaoW，Ghorannevis Z，Chu L et al. ACS Nano，2013，7：791
|
| [37] |
Zhao YY，Luo X，Li H et al. Nano Lett.，2013，13：1007
|
| [38] |
Kioseoglou G，Hanbicki A T，Currie M et al. Appl. Phys. Lett.，2012，101：221907
|
| [39] |
Sallen G，Bouet L，Marie X et al. Phys. Rev. B，2012，86：081301
|
| [40] |
Zeng H，Liu G B，Dai J et al. Sci. Rep.，2013，3：01608
|
| [41] |
Mak K F，Lee C，Hone J et al. Phys. Rev. Lett.，2010，105：136805
|
| [42] |
Splendiani A，Sun L，Zhang Y et al. Nano Lett.，2010，10：1271
|
| [43] |
Radisavljevic B，Radenovic A，Brivio J et al. Nat. Nanotechnol.，2011，6：147
|
| [44] |
Ye Y，Xiao J，Wang H L et al. Nat. Nanotechnol.，2016，11：598
|
| [45] |
Zhu Z Y，Cheng Y C，Schwingenschlögl U. Phys. Rev. B，2011，84：153402
|
| [46] |
Cheiwchanchamnnangij T，Lambrecht W R L. Phys. Rev. B，2012，85：205302
|
| [47] |
Mak K F，Lui C H，Shan J et al. Phys. Rev. Lett.，2009，102：256405
|
| [48] |
Zhang Y，Tang T，Girit C et al. Nature，2009，459：820
|
| [49] |
Sahin H，Cahangirov S，Topsakai M et al. Phys. Rev. B，2009，80：155453
|
| [50] |
Ataca C，Sahin H，Ciraci S. J. Phys. Chem. C，2012，116：8983
|
| [51] |
Xiao D，ZhuW，Ran Y et al. Nat. Commun.，2011，2：596
|
| [52] |
Liang Q F，Wu L H，Hu X. New J. Phys.，2013，15：2189
|
Supported by: Beijing Renhe Information Technology Co., Ltd. 
DownLoad: