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王涛(1,2) 姚键全(1) 张国义(2). 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)[J]. 物理, 2005, 34(09): 648-653.
引用本文: 王涛(1,2) 姚键全(1) 张国义(2). 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)[J]. 物理, 2005, 34(09): 648-653.
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金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)

    摘要
  • 摘要: 文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术（MOCVD）生长氮化物半导体 GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响，详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响，特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能；文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况.

     

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