高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻

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高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻

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雷啸霖. 高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻[J]. 物理, 2004, 33(09).

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雷啸霖. 高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻[J]. 物理, 2004, 33(09).

高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻

雷啸霖

上海交通大学物理系,上海200030

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出版历程
- 发布日期: 2004-09-19

上海交通大学物理系,上海200030

摘要: 一年以前，人们惊奇地发现：在相当弱的磁场中，并不太强的微波辐照就可以使二维半导体的磁阻产生强烈的振荡，振幅的最大值可超过无辐照磁阻值的十几倍，最小值可以一直降到零.全世界众多的凝聚态物理学家争相聚焦到这个领域，进行了许多实验和理论研究，企图弄清这一意外发现的机理.经过一年多的努力，人们已经掌握了这个现象更多的细节，对其物理机制也有了初步了解.但深入的实验和理论探索可能还要继续相当一段时间.文章将对这个物理现象及相关的理论模型，尤其是目前得到较多赞同的光子辅助磁输运模型，作一简单的介绍.
- 二维半导体 /
- 磁阻振荡 /
- 电阻态 /
- 光子辅助散射

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