钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

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钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

朱小红, 郑东宁

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朱小红, 郑东宁. 钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究[J]. 物理, 2004, 33(01): 34-39.

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朱小红, 郑东宁. 钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究[J]. 物理, 2004, 33(01): 34-39.

钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京100080

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出版历程
- 发布日期: 2004-01-19

中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京100080

摘要: 铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能：高的介电常数，较低的介电损耗，好的绝缘漏电性能；而且，通过调节材料中的Ba/Sr成分比，可改变材料的居里相变温度TC，以满足特定应用环境的温度需要，在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景.文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展，并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论.
- 铁电/介电薄膜 /
- 钛酸锶钡 /
- 动态随机存储器

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