KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应

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KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应

Kioussis Nicholas, 刘长松

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Kioussis Nicholas, 刘长松. KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应[J]. 物理, 2004, 33(01).

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Kioussis Nicholas, 刘长松. KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应[J]. 物理, 2004, 33(01).

KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应

Kioussis Nicholas¹,
刘长松²

(1)Department of Physics, California State University, Northridge, CA 91330-8268, USA
(2)中国科学院固体物理研究所,合肥230031

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出版历程
- 发布日期: 2004-01-19

(1)Department of Physics, California State University, Northridge, CA 91330-8268, USA
(2)中国科学院固体物理研究所,合肥230031

摘要: 研究了非线性光学晶体材料KH2PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应.从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因.研究发现，对于H间隙原子，当增加一个电子时，H间隙原子与主H原子发生作用，形成间隙H2分子并产生一个H空位，而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键，这两种带电态的H间隙原子均切断KDP材料中形成网络的氢键；对于H空位，增加一个空穴将导致形成&amp;amp;amp;quot;过氧化氢&amp;amp;amp;quot;桥结构.这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制.
- KDP /
- 氢缺陷 /
- 缺陷反应

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