高级检索

半导体量子器件物理讲座 第三讲 异质结双极晶体管(HBT)

王良臣

王良臣. 半导体量子器件物理讲座 第三讲 异质结双极晶体管(HBT)[J]. 物理, 2001, 30(06).
引用本文: 王良臣. 半导体量子器件物理讲座 第三讲 异质结双极晶体管(HBT)[J]. 物理, 2001, 30(06).

半导体量子器件物理讲座 第三讲 异质结双极晶体管(HBT)

  • 摘要: 文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管(HBT)在材料结构参数上的差异.这种差异表明,在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步入到了能带工程设计.和同质结双极晶体管相比,HBT具有更优越的性能.接着介绍了HBT的工作原理、典型的材料结构及器件的制作
计量
  • 文章访问数:  242
  • HTML全文浏览量:  29
  • PDF下载量:  1531
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 发布日期:  2001-06-19

目录

    /

    返回文章
    返回