半导体量子器件物理讲座  第二讲  高电子迁移率晶体管(HEMT)

中国物理学会期刊

Chinese Physics Letters Chinese Physics B 物理学报物理中国物理学会期刊网

高级检索

半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(HEMT)

文章导航 > 物理 > 2001 > 30(04)

王良臣. 半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(HEMT)[J]. 物理, 2001, 30(04).

引用本文:

王良臣. 半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(HEMT)[J]. 物理, 2001, 30(04).

半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(HEMT)

摘要: 文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及I-V特性作了分析
- 二维电子气 /
- 高电子迁移率晶体管 /
- 势阱

点击查看大图

/