我国半导体物理研究进展

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我国半导体物理研究进展

夏建白, 黄昆

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夏建白, 黄昆. 我国半导体物理研究进展[J]. 物理, 1999, 28(9).

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夏建白, 黄昆. 我国半导体物理研究进展[J]. 物理, 1999, 28(9).

我国半导体物理研究进展

夏建白,
黄昆

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083

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出版历程
- 发布日期: 1999-09-19

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083

摘要: 简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展．它包括三个方面：半导体超晶格、微结构；半导体表面、界面和杂质、缺陷；以及半导体新材料、新结构．这些进展说明，半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位，它仍是一门年轻的、富有生命力的学科，预期在将来有更大的发展．
- 半导体 /
- 超晶格 /
- 微结构

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