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发光不衰减的多孔硅

李新建, 张裕恒

李新建, 张裕恒. 发光不衰减的多孔硅[J]. 物理, 1999, 28(4).
引用本文: 李新建, 张裕恒. 发光不衰减的多孔硅[J]. 物理, 1999, 28(4).

发光不衰减的多孔硅

  • 摘要: 用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅.如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2—25倍.将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前4个月中单调增加,然后达到饱和.在随后的8个月中,没有观察到发光衰减,发光峰位也没有发生变化.这种发光稳定性被归因于多孔硅表面所形成的稳定的Fe-Si键.文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强有力的证据.
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  • 发布日期:  1999-04-19

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