高质量GaN外延薄膜的生长

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高质量GaN外延薄膜的生长

吴学华, J.S.Speck, 吴自勤

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吴学华, J.S.Speck, 吴自勤. 高质量GaN外延薄膜的生长[J]. 物理, 1999, 28(1).

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吴学华, J.S.Speck, 吴自勤. 高质量GaN外延薄膜的生长[J]. 物理, 1999, 28(1).

高质量GaN外延薄膜的生长

(1)Department of Materials, University of California, Santa Barbara
(2)中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026

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出版历程
- 发布日期: 1999-01-19

(1)Department of Materials, University of California, Santa Barbara
(2)中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026

摘要: 综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长（ｅｐｉｔａｘｉａｌｙｌａｔｅｒａｌｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）．Ｘ射线衍射和高分辨电镜研究证实，上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高．利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场．
- ＧａＮ /
- 外延薄膜 /
- 蓝色激光管 /
- 穿过位错

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