Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

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Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

柯炼, 缪熙月, 魏彦峰, 王杰, 王迅

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柯炼, 缪熙月, 魏彦峰, 王杰, 王迅. Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点[J]. 物理, 1999, 28(1).

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柯炼, 缪熙月, 魏彦峰, 王杰, 王迅. Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点[J]. 物理, 1999, 28(1).

Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

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出版历程
- 发布日期: 1999-01-19

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

摘要: 介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构．ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射．它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料．
- 量子点 /
- ＺｎＯ /
- 受激发射

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