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柯炼, 缪熙月, 魏彦峰, 王杰, 王迅. Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点[J]. 物理, 1999, 28(1).
引用本文: 柯炼, 缪熙月, 魏彦峰, 王杰, 王迅. Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点[J]. 物理, 1999, 28(1).

Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

  • 摘要: 介绍了研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ZnO量子点微晶结构.ZnO已经实现了室温下光泵激发的受激发射.它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物、Ⅲ-Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料.

     

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