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杨国伟. CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应[J]. 物理, 1996, 25(5).
引用本文: 杨国伟. CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应[J]. 物理, 1996, 25(5).

CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应

  • 摘要: 实现金刚石薄膜的异质外延是目前CVD金刚石薄膜制备研究的主要奋斗目标,而直流负偏压增强金刚石成核法被认为是达到这一目标的有效途径.文章简要评述了微波等离子体CVD制备金刚石薄膜中的直流负偏压增强成核法,以及由此而发展的直流正偏压增强成核法和叠加交流成分的直流负偏压增强成核法,介绍了它们在异质外延金刚石薄膜中的应用.

     

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