超导体/半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射

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超导体/半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射

刘剑, 郑厚植, 徐士杰

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刘剑, 郑厚植, 徐士杰. 超导体/半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射[J]. 物理, 1995, 24(9).

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刘剑, 郑厚植, 徐士杰. 超导体/半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射[J]. 物理, 1995, 24(9).

超导体/半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100085

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出版历程
- 发布日期: 1995-09-19

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100085

摘要: 介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结结构中电子在超导体／半导体界面处的相互作用行为，包括超导邻近效应（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔ）及Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ场效应晶体管（ＪＯＰＥＴ）的探索研究，此外，还讨论了此领域内一个重要物理问题──Ａｎｄｒｅｅｖ反射。
- 超导体／半导体界面 /
- 邻近效应 /
- Ａｎｄｒｅｅｖ反射 /
- ＪＯＦＥＴ器件

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