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采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质

汪兆平, 邢益荣

汪兆平, 邢益荣. 采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质[J]. 物理, 1995, 24(8).
引用本文: 汪兆平, 邢益荣. 采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质[J]. 物理, 1995, 24(8).

采用直接外延方法生长的量子线结构及其光学性质

  • 摘要: 本文介绍利用分子束外延方法在GaAs的某些特殊表面上原位直接生长GaAs/AlAs量子线结构的几种方法,包括采用(311)等高指数面、(001)邻晶面以及(110)解理面二次生长,着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方法能避开目前纳米尺度刻蚀技术的困难,可能成为制备低维结构的有希望的途径。
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出版历程
  • 发布日期:  1995-08-19

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