硅中掺铒发光的研究现状和前景

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硅中掺铒发光的研究现状和前景

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盛篪, 王迅. 硅中掺铒发光的研究现状和前景[J]. 物理, 1995, 24(7).

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盛篪, 王迅. 硅中掺铒发光的研究现状和前景[J]. 物理, 1995, 24(7).

硅中掺铒发光的研究现状和前景

盛篪,
王迅

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

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出版历程
- 发布日期: 1995-07-19

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

摘要: 硅在微电子学领域有着极其广泛的应用，但它是一种间接能隙半导体，发光器件领域是它的缺项，利用在硅中掺入发光中心─—铒，已经研制出一种新的发光二极管（Ｓｉ：ＥｒＬＥＤ），它的发光波长是１．５３μｍ，恰好满足石英光纤通信的要求。进一步提高输出功率后，Ｓｉ：ＥｒＬＲＤ将可用作光纤通信用的单片光电子集成电路的光源部件。介绍了Ｓｉ：Ｅｒ发光研究的现状，讨论它的发光机制及制约输出动率的因素，探讨提高ＬＥＤ性能的途径。
- 间接能隙半导体 /
- 硅中掺稀土元素 /
- 发光二极管 /
- 光电子集成电路

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