单电子效应与单电子晶体管

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单电子效应与单电子晶体管

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夏建白. 单电子效应与单电子晶体管[J]. 物理, 1995, 24(7).

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夏建白. 单电子效应与单电子晶体管[J]. 物理, 1995, 24(7).

单电子效应与单电子晶体管

夏建白

中国科学院半导体研究所,半导体超晶洛国家重点实验室,北京100083

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出版历程
- 发布日期: 1995-07-19

中国科学院半导体研究所,半导体超晶洛国家重点实验室,北京100083

摘要: 由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到了由单个电子地阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞、单电子隧穿和库仑振荡。与此效应有关的现象还有库仑台阶、旋转门效应。旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。
- 库仑阻塞 /
- 单电荷隧穿 /
- 库仓振荡 /
- 库仑台阶 /
- 旋转门效应 /
- 单电子晶体管

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