未来最有希望的硅锗高速微电子器件──埋沟场效应晶体管

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未来最有希望的硅锗高速微电子器件──埋沟场效应晶体管

胡际璜, 张翔九, 王迅

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胡际璜, 张翔九, 王迅. 未来最有希望的硅锗高速微电子器件──埋沟场效应晶体管[J]. 物理, 1994, 23(2).

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胡际璜, 张翔九, 王迅. 未来最有希望的硅锗高速微电子器件──埋沟场效应晶体管[J]. 物理, 1994, 23(2).

未来最有希望的硅锗高速微电子器件──埋沟场效应晶体管

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

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出版历程
- 发布日期: 1994-02-19

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

摘要: 以前人们认为异质结双极型晶体管是硅锗新材料在微电子器件方面的最重要应用。根据最新的信息，指出这一器件具有很大的局限性，而正在崛起的硅锗ＭＯＳ场效应晶体管有可能是未来最有希望的高速器件。叙述了这种器件的物理基础、典型结构及性能。

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