用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性

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用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性

韦亚一, 郑国珍

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韦亚一, 郑国珍. 用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性[J]. 物理, 1994, 23(11).

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韦亚一, 郑国珍. 用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性[J]. 物理, 1994, 23(11).

用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

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出版历程
- 发布日期: 1994-11-19

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

摘要: 介绍了纳米硅膜的ＰＥＣＡＤ生长方法，样品的结构特征和结构参数的测量方法。根据现有的实验数据，讨论了纳米硅样品的电学性质和光学性质，简要评述了纳米硅研究的方向和进一步所要做的工作。

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