以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜

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以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜

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何宇亮. 以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜[J]. 物理, 1993, 22(7).

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何宇亮. 以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜[J]. 物理, 1993, 22(7).

以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜

何宇亮

北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京100083

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出版历程
- 发布日期: 1993-07-19

北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京100083

摘要: 以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ＰＥＣＶＤ薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［Ｈ］基对生成膜表面弱Ｓｉ－Ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积出高质量的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜以及具有纳米相结构的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜．

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