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王迅, 侯晓远, 郝平海. 硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途[J]. 物理, 1992, 21(6).
引用本文: 王迅, 侯晓远, 郝平海. 硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途[J]. 物理, 1992, 21(6).
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硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途

    摘要
  • 摘要: 由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．

     

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