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陈英方, 吴知非. 等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术[J]. 物理, 1991, 20(12).
引用本文: 陈英方, 吴知非. 等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术[J]. 物理, 1991, 20(12).

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

  • 摘要: 本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入(PlasmaSourcelon lmplantation,简称PSII)——的原理、装置和应用.除可应用于半导体外,这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要.实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术.

     

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