半导体微结构中的量子弹道式输运

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半导体微结构中的量子弹道式输运

顾雷, 顾本源

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顾雷, 顾本源. 半导体微结构中的量子弹道式输运[J]. 物理, 1990, 19(6).

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顾雷, 顾本源. 半导体微结构中的量子弹道式输运[J]. 物理, 1990, 19(6).

半导体微结构中的量子弹道式输运

顾雷¹,
顾本源²

(1)北京大学物理系
(2)中国科学院物理研究所

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出版历程
- 发布日期: 1990-06-19

(1)北京大学物理系
(2)中国科学院物理研究所

摘要: 半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文着重介绍在零磁场和磁场下，量子点接触微结构中的电子的量子弹道输运过程和电导呈现量子化现象．还介绍了由量子相干性输运导致的相干的电子聚焦现象

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