极性/非极性半导体异质结构

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极性/非极性半导体异质结构

蒋维栋, 张翔九, 王迅

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蒋维栋, 张翔九, 王迅. 极性/非极性半导体异质结构[J]. 物理, 1989, 18(4): 205-210.

引用本文:

蒋维栋, 张翔九, 王迅. 极性/非极性半导体异质结构[J]. 物理, 1989, 18(4): 205-210.

极性/非极性半导体异质结构

复旦大学表面物理实验室

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出版历程
- 发布日期: 1989-04-19

复旦大学表面物理实验室

摘要: 由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新的课题．本文简要介绍极性／非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状．

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