激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径

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葛云龙, 胡壮麒, 乔桂文, 李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理, 1989, 18(3).

引用本文:

葛云龙, 胡壮麒, 乔桂文, 李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理, 1989, 18(3).

摘要: 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果．

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