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半导体超晶格

王迅

王迅. 半导体超晶格[J]. 物理, 1987, 16(7): 397-404.
引用本文: 王迅. 半导体超晶格[J]. 物理, 1987, 16(7): 397-404.

半导体超晶格

  • 摘要: 超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料,它在过去的自然界中从未存在过,是一种完全新的人工制造的晶体.1970年,美国IBM公司的江崎玲于奈(L.Esaki)和朱兆祥首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构[1].以后,半导体超晶格的研究工作得到了很快的发展,不仅研制出GaAs和各种Ⅲ-V族化合物超晶格材料,而且Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族、Si超晶格以及非晶态半导体超晶格等也已相继出现,有一些?...
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出版历程
  • 发布日期:  1987-07-19

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