12MeV电子辐照缺陷能级的研究
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摘要: 近年来，利用１—１２ＭｅＶ加速电子辐照，在硅材料中可以成功地引入复合中心，并代替扩金等工艺．它有效、精确地控制了器件寿命参数．全面衡量器件各参数，可以看出，１２ＭｅＶ电子辐照比低能量电子辐照或Ｃｏ－ｒ，辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化．在１—１２ＭｅＶ电子辐照中，１２ＭｅＶ电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力．在相同的复合效果条件下，１２ＭｅＶ电子辐照又比ｒ辐照剂量小得多．本文研究在３×?...
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