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用离子技术合成类金刚石薄膜

郭华聪

郭华聪. 用离子技术合成类金刚石薄膜[J]. 物理, 1985, 14(7).
引用本文: 郭华聪. 用离子技术合成类金刚石薄膜[J]. 物理, 1985, 14(7).

用离子技术合成类金刚石薄膜

  • 摘要: 用离子技术合成的类金刚石碳膜(i-C膜)具有一系列优良的性能:高的绝缘性,电阻率为10~7-10~(14)Q·cm,电导率有负的温度系数(10~(-2)-10~(-4)℃~(-1));高的介电强度,击穿电压约10~6V·cm~(-1),介电常数为8-12;较高的硬度,显微硬度高于3000kg/mm~2;较好的光学透射性,有大的光带隙(1—2.6eV),可以掺杂成n型或P型材料;对酸和有机溶液?...
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出版历程
  • 发布日期:  1985-07-19

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