吸除工艺
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摘要: 五十年代，硅单晶以不出现孪晶及小角晶界作为晶体缺陷的合格标准，当时曾认为若能消除位错，那么就在根本上满足了器件制造的需要．六十年代，Ｄａｓｈ拉晶工艺在生产中推广，使无位错硅单晶较普遍地用于器件制造，此时发现原先的想法过于简单［１］．除了器件制造工艺过程中宏观应力引入的缺陷──滑移位错会影响器件制造外［２］，无位错单晶中缺乏点缺陷的湮没机构及杂质聚集机构──位错，也会引起晶体生长及器件工艺过程?...
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