集成电路中的物理问题讲座 第一讲 硅中微缺陷及其形成过程
-
摘要: 随着半导体硅器件技术的不断进步，对晶体材料的完整性的要求越来越高．五十年代末观察到位错会引起ｐ－ｎ结的软击穿，因此发展了无位错硅单晶的生长技术．所谓宏观无位错晶体，通常是指用择尤化学腐蚀看不到位错蚀坑，或在Ｘ射线形貌照片上看不到位错衬度，并不是指没有缺陷的完美晶体．正如Ｓｉｒｔｌ所说，从半导体级硅技术开始发展时起，晶体缺陷问题就是有关专家的永久伴侣．当晶体中无位错时，由于很难消除晶体生长时产?...
-
计量
- 文章访问数: 49
- HTML全文浏览量: 0
- PDF下载量: 8845
下载:
