GaAs-绝缘薄膜界面和金属-绝缘薄膜-半导体(MIS)结的特性
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摘要: 对Ｓｉ－ＳｉＯ２系统广泛而深入的研究和器件的平面技术的发展，导致了Ｓｉ金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＰＥＴ）及其集成电路（ＩＣ）的辉煌成就．ＧａＡｓ的电子迁移率比Ｓｉ高五倍多，预期ＧａＡｓ金属－绝缘薄膜－半导体场效应晶体管（ＭＩＳＦＥＴ）可工作于更高频率，其ＩＣ可应用于更高速度．以往十多年，对ＧａＡｓ－绝缘薄膜界面和ＭＩＳ结的特性进行了研究（见文献［１］），取得了一定成果，但因研究?...
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