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张明, 刘永宽, 肖化明, 刘学如. LSI工艺和失效机理的电镜分析[J]. 物理, 1984, 13(11).
引用本文: 张明, 刘永宽, 肖化明, 刘学如. LSI工艺和失效机理的电镜分析[J]. 物理, 1984, 13(11).

LSI工艺和失效机理的电镜分析

  • 摘要: 一、剖面分析技术剖面分析对确切地了解器件纵向结构参数,配合工艺研究是十分重要的.LSI(大规模集成电路)研制工艺是综合性很强的技术,它的工序多,工艺严格而复杂,要求可靠性高.例如,64K位RAM(随机存贮器)就需要三层多晶硅工艺.虽然研制者可以按预定要求来控制工艺条件,但是实际结果必须由测试分析来判断.由于受光学显微镜分辨率的限制,无法测量这么多层次的显微结构,通常只能用电学测试进行判定.利?...

     

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