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用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度

  • 摘要: 非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度.已经发展了多种隙态密度的测量方法,如场效应方法(FE)[1]、低频C-V法[2,3]、MOS隧道测量[4,5]以及深能级瞬态谱法(DLTS)等.C-V法本是测量单晶半导体材料的有力工具.在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中,电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多.已有一些文章作了研究井推导了由C-V曲线求态密度的公式[?...

     

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