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目前金属-半导体肖特基势垒形成机理的新进展

陈克铭

陈克铭. 目前金属-半导体肖特基势垒形成机理的新进展[J]. 物理, 1982, 11(8).
引用本文: 陈克铭. 目前金属-半导体肖特基势垒形成机理的新进展[J]. 物理, 1982, 11(8).

目前金属-半导体肖特基势垒形成机理的新进展

  • 摘要: 关于金属一半导体接触问题,在一百多年前布朗(Braun)首先发现硫化铜和硫化铁之类的金属和半导体接触时的单向导电性.虽然当时人们对单向导电性的机理并不了解,但是这种接触还是很快地广泛用作无线电的探测器.为了说明这个单向导电性的机理,1938年肖特基(Schottky)和莫特(Mott)各自独立地提出过关于电子通过正常的漂移和扩散过程越过势垒的问题.按两位学者的模型,势垒的出现是由金属和半导体之间的功函数之....
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出版历程
  • 发布日期:  1982-08-19

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