测量半导体中深中心分布的双相关技术
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摘要: 自１９７４年Ｄ．Ｖ．Ｌａｎｇ［１］提出深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）以来，ＤＬＴＳ已经成为研究半导体中深能级杂质，缺陷（以下统称深中心）的物理性质的广泛使用的有效手段．例如，通过ＤＬＴＳ测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等．１９７７年Ｈ．Ｌｅｆｅｖｅ和Ｍ．Ｓｃｈｕｌｚ［２］提出了双相关ＤＬＴＳ技术（ＤＤＬＴＳ），采用ＤＤＬＴＳ技术可以方便地测量半导体中深中心的分布．测量半导体中深中心?...
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