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谢希德. 表面物理讲座第五讲 半导体表面[J]. 物理, 1981, 10(9).
引用本文: 谢希德. 表面物理讲座第五讲 半导体表面[J]. 物理, 1981, 10(9).

表面物理讲座第五讲 半导体表面

  • 摘要: 在半导体器件发展的初期,人们就已经知道半导体器件的稳定性在很大程度上依赖于半导体表面的状况.由于在工艺过程中难以严格控制表面的条件,为了保证器件的稳定性,只得对表面尽量采取有效的钝化措施.近十余年来由于超高真空技术的发展,不仅可以制备清洁的表面,而且可以在超高真空中进行实验测量.如果将光子、电子和其它各种离子注入半导体表面,然后对经过相互作用之后所产生的粒子进行能谱分析,可以得到重复性极好的?...

     

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