高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究
-
摘要: 一、引言用外延技术生长ＧａＡｓ薄层是制备ＧａＡｓ微波器件和光电器件的最重要的工艺．要提高外延层的质量，就必须了解外延层内的剩余杂质，以便进一步降低剩余杂质，有效地控制晶体的特性．光致发光方法由于其灵敏度高、方法简便及非破坏性的检测，适合于研究薄膜和微区的特性．它是用于研究ＧａＡｓ中杂质和缺陷的有效方法［１］．我们采用光致发光法研究了高纯ＧａＡｓ液相外延（ＬＰＥ）（ｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅｅｐｉ?...
-
计量
- 文章访问数: 42
- HTML全文浏览量: 1
- PDF下载量: 8687
下载:
