高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

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高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

陈岚峰, 李林, 赵柏儒, 周萍, 郭树权, 赵有祥

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陈岚峰, 李林, 赵柏儒, 周萍, 郭树权, 赵有祥. 高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析[J]. 物理, 1981, 10(6).

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陈岚峰, 李林, 赵柏儒, 周萍, 郭树权, 赵有祥. 高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析[J]. 物理, 1981, 10(6).

高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

(1)冶金部有色金属研究总院
(2)中国科学院物理研究所

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出版历程
- 发布日期: 1981-06-19

(1)冶金部有色金属研究总院
(2)中国科学院物理研究所

摘要: 用直流吸气溅射法获得了Ｔｃ１）起始等于２３Ｋ的Ｎｂ－Ｇｅ膜．对样品进行了分析，初步总结了高Ｔｃ－Ａ１５Ｎｂ３Ｇｅ的成相规律，对与Ｔｃ密切相关的因素进行了讨论．引言很多Ａ１５型化合物具有超导电性且其超导转变温度Ｔｃ很高．１９７３年，Ｇａｖａｌｅｒ首次用直流低电压，高Ａｒ气压力溅射法获得Ｔｃ起始温度为２２Ｋ的Ｎｂ－Ｇｅ膜［１］．其后，一些实验室相继报道了用沉积薄膜法得到Ｔｃ起始≥２３Ｋ的结果［２?...

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