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陈庆汉, 谢三文. 阻热法引上生长Nd:YAG时界面转换前后出现的组分过冷和位错增殖现象[J]. 物理, 1981, 10(6).
引用本文: 陈庆汉, 谢三文. 阻热法引上生长Nd:YAG时界面转换前后出现的组分过冷和位错增殖现象[J]. 物理, 1981, 10(6).
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阻热法引上生长Nd:YAG时界面转换前后出现的组分过冷和位错增殖现象

    摘要
  • 摘要: 一、引言众所周知，平坦界面有利于抑制小晶面（核心和侧心）和位错的形成，是获得无缺陷单晶的基本条件［１］．但晶体中已存在的位错则会延伸到晶体下部去．而在凸界面情况下，位错会沿大致垂直生长界面的方向伸展，最后排除于表面［２，３］．但凸界面本身容易产生核心和其它缺陷［１］．为综合平、凸界面各自的优点，有人已用变转速办法得到了无核心无位错的ＧＧＧ单晶（引晶放肩时用低转速凸界面排位锗，然后用高转速平界?...

     

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