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GaAs、Si的外逸电子发射探测

王家锦, 马圣驷

王家锦, 马圣驷. GaAs、Si的外逸电子发射探测[J]. 物理, 1981, 10(5).
引用本文: 王家锦, 马圣驷. GaAs、Si的外逸电子发射探测[J]. 物理, 1981, 10(5).

GaAs、Si的外逸电子发射探测

  • 摘要: 外逸电子(Exoelectron)是一新材料,它系指从材料表面发射的低能电子.金属、半导体、介质在辐照、轰击、变形、相变、氧化和吸附等作用下能自发射低能电子[1-3].若在光、热的激发下外逸电子发射就更加明显,前者激发的电子称为光激外逸电子发射(OSEE),后者称为热激外逸电子发射(TSEE).但两者皆并非热电子和光电子.因为热电子要在相当高的温度下才能激发(一般要在700°C-2000°C?...
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  • 发布日期:  1981-05-19

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