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黄得星, 温殿忠. 结型磁敏器件──硅磁敏二极管[J]. 物理, 1979, 8(5): 456-461.
引用本文: 黄得星, 温殿忠. 结型磁敏器件──硅磁敏二极管[J]. 物理, 1979, 8(5): 456-461.

结型磁敏器件──硅磁敏二极管

  • 摘要: 一、前言结型磁敏器件是一种新型半导体磁电转换器件.它有锗、硅磁敏二极管[1],锗[2]、硅磁敏晶体管,磁敏可控硅[3]以及集成式磁敏补偿电路等几种.它们的共同特点是磁灵敏度高,比霍尔元件高几百倍到几千倍.这样高的磁灵敏度是利用半导体的磁阻效应实现的.所谓磁阻效应是利用P-n结性质向半导体注入高电平载流子,利用载流子在磁场中会受到洛伦兹力作用而发生偏转的特性,以改变非平衡载流子的有效寿命和运动?...

     

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