人造铁电氮化硼晶体

基金项目:

国家自然科学基金(批准号：52025023；51991344；12334001；52272173)、国家重点研发计划(批准号：2021YFA1400204；2023YFB4603603；2022YFA1403500)资助项目，中国科学院战略性先导科技专项B(批准号：XDB33030200)

详细信息

摘要: 具有sp²杂化键的层状氮化硼(BN)以其卓越的化学稳定性、高热导率以及无悬挂键的原子级平整度，成为宽带隙二维绝缘体的优选材料。同时，作为新一代电介质材料，其低介电常数和低介电损耗的特性，也为提升器件速度和降低器件功耗提供了物理基础。长期以来，多层 BN薄膜的研究主要集中在常见的六方氮化硼(hBN)上，其层间堆垛方式为 AA'A 型。然而，近年来，菱方氮化硼(rBN)因其特殊的 ABC 堆垛而备受瞩目。rBN 不仅延续了 hBN 几乎所有的优异特性，更因其非中心对称的晶格结构，展现出卓越的非线性光学特性和显著的层间滑移铁电性。这些特性使 rBN 薄膜成为极具潜力的多功能二维介质材料，并预示了其在集成光子电路、铁电场效应晶体管以及存储计算一体化等前沿科技领域的广阔应用前景。

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