新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控

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新型磁性二维材料Fe₃GeTe₂及其室温磁性调控

邓雨君, 於逸骏, 张远波

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邓雨君, 於逸骏, 张远波. 新型磁性二维材料Fe₃GeTe₂及其室温磁性调控[J]. 物理, 2019, 48(2): 88-90. DOI: 10.7693/wl20190203

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邓雨君, 於逸骏, 张远波. 新型磁性二维材料Fe₃GeTe₂及其室温磁性调控[J]. 物理, 2019, 48(2): 88-90. DOI: 10.7693/wl20190203

新型磁性二维材料Fe₃GeTe₂及其室温磁性调控

复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海 200433

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出版历程
- 收稿日期: 2018-12-18
- 发布日期: 2019-02-11

摘要: 现代微电子器件的发展，很大程度上依赖于工艺与材料的突破，其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究，已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件，对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题。

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