二维半导体中的能谷电子学

胡凯歌; 冯济

doi:10.7693/wl20160802

二维半导体中的能谷电子学

胡凯歌,
冯济^†

北京大学物理学院量子材料科学中心量子物质科学协同创新中心北京 100871

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号：2013CB921900)、国家自然科学基金(批准号：11322433)资助项目

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出版历程
- 收稿日期: 2016-06-06
- 发布日期: 2016-08-11

Valleytronics in two-dimensional semiconductors

HU Kai-Ge,
FENG Ji^†

Collaborative Innovation Center of Quantum Matter,International Center for Quantum Materials,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China

摘要

摘要: 文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理，并回顾了此方向在材料实现上的进展。在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念，在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现，也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应，最后展望了能谷电子学的发展前景。
- 能谷电子学 /
- 二维半导体 /
- 单层过渡金属二硫化物
Abstract: valleytronics|two-dimensional semiconductor|monolayer transition metal dichalcogenides
- valleytronics /
- two-dimensional semiconductor /
- monolayer transition metal dichalcogenides

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