1985年 14卷 第9期
物理，
1985, 14(9)
摘要：
近年来发展的层状金属或金属超晶格开始受到注意，实验发现了它们的一些有趣的性质，有的已经得到实际应用．本文试图对有关的理论工作作一评述．一、电子和声子结构金属超晶格是由交替堆垛的不同金属层组成．它有下列特点：尽管层的厚度可以达到原子的尺度，每一层中的原子仍能排列成规整点阵；层间的界面能达到相当清晰的程度；在与界面垂直的方向上存在相当严格的超晶格序．１．过渡金属超昌格的电子结构我们建立了计算过渡?...
近年来发展的层状金属或金属超晶格开始受到注意，实验发现了它们的一些有趣的性质，有的已经得到实际应用．本文试图对有关的理论工作作一评述．一、电子和声子结构金属超晶格是由交替堆垛的不同金属层组成．它有下列特点：尽管层的厚度可以达到原子的尺度，每一层中的原子仍能排列成规整点阵；层间的界面能达到相当清晰的程度；在与界面垂直的方向上存在相当严格的超晶格序．１．过渡金属超昌格的电子结构我们建立了计算过渡?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
ＩＣ即集成电路是未来信息世界的主要物质基础之一．它自１９６０年前后在Ｓｉ平面技术基础上发明以来，先后经历了小、中、和大规模电路（即ＳＳＩ，ＭＳＩ和ＬＳＩ）以及当前的超大、超高速集成电路（即ＶＬＳＩ，ＶＨＳＩＣ）阶段．为了适应这种飞速的演变，其可靠性技术也相应由分立器件的统计失效发展成为以控制和预防、消除失效为主．后二者是以失效物理或可靠性物理学研究为基础．本文试图就ＩＣ可靠性物理学这一交叉学?...
ＩＣ即集成电路是未来信息世界的主要物质基础之一．它自１９６０年前后在Ｓｉ平面技术基础上发明以来，先后经历了小、中、和大规模电路（即ＳＳＩ，ＭＳＩ和ＬＳＩ）以及当前的超大、超高速集成电路（即ＶＬＳＩ，ＶＨＳＩＣ）阶段．为了适应这种飞速的演变，其可靠性技术也相应由分立器件的统计失效发展成为以控制和预防、消除失效为主．后二者是以失效物理或可靠性物理学研究为基础．本文试图就ＩＣ可靠性物理学这一交叉学?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
最近热激电流（简称ＴＳＣ）技术已被广泛地应用于研究固体电介质的陷阱参数和偶极弛豫参数。一些作者在不同试验条件下，发现一些聚合物电介质的ＴＳＣ峰温随电场变化，并借用Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ（简称ＰＦ）效应来解释它．本文主要介绍低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）的ＴＳＣ峰温与场强关系．试样是由工程纯ＬＤＰＥ粒料经过加热模压制而成．试样有一定形状，以避免在强电场下极化时发生局部放电．为了提高周围媒质局部放?...
最近热激电流（简称ＴＳＣ）技术已被广泛地应用于研究固体电介质的陷阱参数和偶极弛豫参数。一些作者在不同试验条件下，发现一些聚合物电介质的ＴＳＣ峰温随电场变化，并借用Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ（简称ＰＦ）效应来解释它．本文主要介绍低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）的ＴＳＣ峰温与场强关系．试样是由工程纯ＬＤＰＥ粒料经过加热模压制而成．试样有一定形状，以避免在强电场下极化时发生局部放电．为了提高周围媒质局部放?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
近年来，利用１—１２ＭｅＶ加速电子辐照，在硅材料中可以成功地引入复合中心，并代替扩金等工艺．它有效、精确地控制了器件寿命参数．全面衡量器件各参数，可以看出，１２ＭｅＶ电子辐照比低能量电子辐照或Ｃｏ－ｒ，辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化．在１—１２ＭｅＶ电子辐照中，１２ＭｅＶ电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力．在相同的复合效果条件下，１２ＭｅＶ电子辐照又比ｒ辐照剂量小得多．本文研究在３×?...
近年来，利用１—１２ＭｅＶ加速电子辐照，在硅材料中可以成功地引入复合中心，并代替扩金等工艺．它有效、精确地控制了器件寿命参数．全面衡量器件各参数，可以看出，１２ＭｅＶ电子辐照比低能量电子辐照或Ｃｏ－ｒ，辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化．在１—１２ＭｅＶ电子辐照中，１２ＭｅＶ电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力．在相同的复合效果条件下，１２ＭｅＶ电子辐照又比ｒ辐照剂量小得多．本文研究在３×?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
近代物理学为研究材料在超高压力下的物理性质，地震学与地球物理学为模拟地壳深层的高压状态，研制了几千、几万甚至几十万大气压的高压设备．在三或四万大气压以下，选用液体作传压介质．例如，石油醚、异戊烷等轻质矿物油，煤油、汽油等一般矿物油，来源于动植物的甘油、甲基或乙基硅油等高分子合成油，都可作为传压介质．我们在一万大气压下试用过石油醚和变压器油的混合液．石油醚是石油分馏得到的低分子烃的混合物，主要?...
近代物理学为研究材料在超高压力下的物理性质，地震学与地球物理学为模拟地壳深层的高压状态，研制了几千、几万甚至几十万大气压的高压设备．在三或四万大气压以下，选用液体作传压介质．例如，石油醚、异戊烷等轻质矿物油，煤油、汽油等一般矿物油，来源于动植物的甘油、甲基或乙基硅油等高分子合成油，都可作为传压介质．我们在一万大气压下试用过石油醚和变压器油的混合液．石油醚是石油分馏得到的低分子烃的混合物，主要?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
包括大规模集成电路在内的现代半导体器件，绝大部分是用硅平面工艺制造的．在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后，器件的芯片就制成了．平面工艺少不了硅表面的一层ＳｉＯ２膜，该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜，在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物，因此这些器件都包含Ｓｉ-ＳｉＯ３系统．在ＭＯＳ器件中，还有较薄的优质ＳｉＯ２作栅极的介质，它是决定该类器件功能的....
包括大规模集成电路在内的现代半导体器件，绝大部分是用硅平面工艺制造的．在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后，器件的芯片就制成了．平面工艺少不了硅表面的一层ＳｉＯ２膜，该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜，在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物，因此这些器件都包含Ｓｉ-ＳｉＯ３系统．在ＭＯＳ器件中，还有较薄的优质ＳｉＯ２作栅极的介质，它是决定该类器件功能的....
物理，
1985, 14(9)
摘要：
四、简并四波混频的理论研究工作多年来，围绕简并四波混频的物理机制及影响位相复共轭反射波产生的效率的各种因素，开展了许多理论研究．这里只能作一概要的介绍．１．透明介质的简并四波混频理论理论分析最初由Ｙａｒｉｖ等人完成．在图９中，与非线性介质相互作用的有四个波，即抽运光波Ｅｆ和Ｅｂ，探测光波Ｅｐ和共轭反射波Ｅｃ．假定它们均近似表示为平面波一般在实验中探测光波及其共轭反射波相对抽运光波都弱得多，因?...
四、简并四波混频的理论研究工作多年来，围绕简并四波混频的物理机制及影响位相复共轭反射波产生的效率的各种因素，开展了许多理论研究．这里只能作一概要的介绍．１．透明介质的简并四波混频理论理论分析最初由Ｙａｒｉｖ等人完成．在图９中，与非线性介质相互作用的有四个波，即抽运光波Ｅｆ和Ｅｂ，探测光波Ｅｐ和共轭反射波Ｅｃ．假定它们均近似表示为平面波一般在实验中探测光波及其共轭反射波相对抽运光波都弱得多，因?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
三十年代，我国和西方在物理学科上已经有一些交流．１９３１年春夏之间，法国物理学家朗之万（Ｐ．Ｌａｎｇｅｖｉｎ）到北京作过学术报告．我那时还是一个学生，以偶然的机会也去听了他的报告．因为中国还没有物理学会一类的组织，他建议中国成立自己的学会．因此在学会成立时推选他为名誉会员．１９３２年冬季，我开始在母校南京中大物理系任电磁学助教．电磁学实验室是在一栋不大的但也还整洁的科学馆二楼的尽头．学校位置?...
三十年代，我国和西方在物理学科上已经有一些交流．１９３１年春夏之间，法国物理学家朗之万（Ｐ．Ｌａｎｇｅｖｉｎ）到北京作过学术报告．我那时还是一个学生，以偶然的机会也去听了他的报告．因为中国还没有物理学会一类的组织，他建议中国成立自己的学会．因此在学会成立时推选他为名誉会员．１９３２年冬季，我开始在母校南京中大物理系任电磁学助教．电磁学实验室是在一栋不大的但也还整洁的科学馆二楼的尽头．学校位置?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
单轴晶体中光的传播情况已为人们所熟知．它的物理图象简单清晰，也便于定量计算．双轴晶体中光的传播要复杂得多，且不便于定量计算．本文的分析表明，单色平面波在双轴晶体中传播时，相应的两光振动是处在这样两个平面内，即由波法线分别和两个晶体光轴所成平面的两个平分平面内．与单轴晶体相类似，我们定义这两个平分平面为两光的主平面，相应的两光线也分别处在这两个主平面内，其方向与波法线方向之间有明确的关系．在晶?...
单轴晶体中光的传播情况已为人们所熟知．它的物理图象简单清晰，也便于定量计算．双轴晶体中光的传播要复杂得多，且不便于定量计算．本文的分析表明，单色平面波在双轴晶体中传播时，相应的两光振动是处在这样两个平面内，即由波法线分别和两个晶体光轴所成平面的两个平分平面内．与单轴晶体相类似，我们定义这两个平分平面为两光的主平面，相应的两光线也分别处在这两个主平面内，其方向与波法线方向之间有明确的关系．在晶?...
物理，
1985, 14(9)
摘要：
孤立导体带电时电荷在表面上如何分布是电磁学中一个很有意义的问题．中外的物理教科书都要讲到，表面曲率越大处，电荷密度也越大，但都未能给出一个正确的定量关系，这未免使人感到不足．笔者对这个问题的研究结果指出，至少对几种表面形状（二次曲面）的导体来说，面电荷密度和表面曲率之间的确存在一个定量关系，这也许有助于我们对此问题的理解．一、表面弯曲程度的量度─—高斯曲率按照微分几何，曲面在一点的弯曲程度由?...
孤立导体带电时电荷在表面上如何分布是电磁学中一个很有意义的问题．中外的物理教科书都要讲到，表面曲率越大处，电荷密度也越大，但都未能给出一个正确的定量关系，这未免使人感到不足．笔者对这个问题的研究结果指出，至少对几种表面形状（二次曲面）的导体来说，面电荷密度和表面曲率之间的确存在一个定量关系，这也许有助于我们对此问题的理解．一、表面弯曲程度的量度─—高斯曲率按照微分几何，曲面在一点的弯曲程度由?...
