非易失铁电存储器的进展和若干问题

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非易失铁电存储器的进展和若干问题

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罗维根. 非易失铁电存储器的进展和若干问题[J]. 物理, 1999, 28(4).

引用本文:

罗维根. 非易失铁电存储器的进展和若干问题[J]. 物理, 1999, 28(4).

非易失铁电存储器的进展和若干问题

罗维根

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

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出版历程
- 发布日期: 1999-04-19

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

摘要: 铁电薄膜与半导体集成，产生了新一代非易失存储器．它的功耗之小，写入速度之快，可重写次数之多以及抗辐照能力之强是目前任何一种半导体存储器所不及的．文章介绍了非易失铁电存储器的原理、特点、进展和应用，并讨论了这类存储器在进入大规模商业生产时所面临的若干材料、工艺和器件失效等问题．
- 铁电薄膜 /
- 铁电随机存取存储器 /
- 非易失存储器

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