等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

中国物理学会期刊

Chinese Physics Letters Chinese Physics B 物理学报物理中国物理学会期刊网

高级检索

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

陈英方, 吴知非

文章导航 > 物理 > 1991 > 20(12)

陈英方, 吴知非. 等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术[J]. 物理, 1991, 20(12).

引用本文:

陈英方, 吴知非. 等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术[J]. 物理, 1991, 20(12).

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

中国纺织大学应用物理教研室,上海200051

计量
- 文章访问数: 84
- HTML全文浏览量: 6
- PDF下载量: 9111
出版历程
- 发布日期: 1991-12-19

中国纺织大学应用物理教研室,上海200051

摘要: 本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（ＰｌａｓｍａＳｏｕｒｃｅｌｏｎ　ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．

参考文献(0)

资源附件(0)

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 84
HTML全文浏览量: 6
PDF下载量: 9111
被引次数: 0

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回