辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究
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摘要: 非晶态硅（ａ－Ｓｉ）太阳能电池的研究，是近几年来世界上引人注目的一个重要课题．主要原因是ａ－ｓｉ材料成本低，而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能，如在太阳光谱峰值附近，ａ－Ｓｉ的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级．早在１９７６年，就有人制得了能量转换效率高达５．５％的ａ－Ｓｉ太阳能电池［１］。目前制备ａ－Ｓｉ膜最常用的是辉光放电法．我们对用此法如何制备具有优良光响应特性的掺氢?...
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