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朱邦芬, 刘仁保. 半导体量子结构中量子力学新效应[J]. 物理, 2001, 30(05).
引用本文: 朱邦芬, 刘仁保. 半导体量子结构中量子力学新效应[J]. 物理, 2001, 30(05).

半导体量子结构中量子力学新效应

  • 摘要: 量子力学波函数的相位、相干性与退相干,正成为当前物理学研究的一个热点.半导体材料及其低维量子结构,以其制备工艺的精良和物理研究的透彻而成为最佳研究对象.对于半导体量子结构中载流子相位和关联的实验研究,主要遵循两条路线:(1)使系统特征尺度与相干长度可比,研究介观系统与小量子系统输运过程中量子相干效应;(2)发展超短脉宽激光器与超快探测技术,研究与相干时间可比的时间尺度内的动力学.文章结合笔者的研究工作,着重介绍半导体及其量子结构中超快光学过程研究,包括电声子散射的量子动力学,直流与THz交流电场驱动的半导体超晶格激子态、吸收光谱与四波混频谱,动力学Fano共振和多体相互作用中超越平均场近似的重要性.

     

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