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王良臣. 半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管(HEMT)[J]. 物理, 2001, 30(04).
引用本文: 王良臣. 半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管(HEMT)[J]. 物理, 2001, 30(04).
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半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管(HEMT)

    摘要
  • 摘要: 文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及I-V特性作了分析

     

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